Samsung SSD - 980 PRO M.2 2280 NVMe 1000 GB Heatsink

Samsung SSD - 980 PRO M.2 2280 NVMe 1000 GB Heatsink

M.2 2280-SSD mit 1 TB und Kühlkörper

• M.2 2280-SSD, 1000 GB, PCI-Express x4 NVMe
• Speichercontroller: Samsung Elpis Controller
• Speicherverschlüsselung: 256-Bit-AES
• NAND Flash: Samsung V-NAND 3-bit MLC
• Lesegeschwindigkeit max.: 7000 MB/s, Schreibgeschwindigkeit max.: 5000 MB/s
• Integrierter Kühlkörper mit einer Bauhöhe von 8.6 mm – Ideal für die Playstation 5

Die für grafikintensive Games und Hochleistungsanwendungen konzipierte 980 PRO Heatsink setzt den eigens von Samsung entwickelten Controller sowie PCIe 4.0 ein und verdoppelt die Datenübertragungsrate von PCIe 3.0. Die Abwärtskompatibilität und der kompakte M.2-Formfaktor sorgen dabei für Vielseitigkeit und Flexibilität in diversen Hochleistungs-EDV-Lösungen. Der zusätzliche Kühlkörper erhöht die Geschwindigkeit, die Energieeffizienz und die thermische Kontrolle, um die Spieleleistung zu maximieren. Das dünne und schlanke Gehäuse mit einer Bauhöhe von nur 8.6 mm macht die 980 Pro Heatsink auch zur perfekten Wahl für das Aufrüsten der Playstation 5.

Hohe Geschwindigkeit dank direkter PCIe-Anbindung

Bei dieser SSD werden die Daten mit PCI-Express übertragen, wodurch sie herkömmliche SATA-SSDs in puncto Übertragungsrate weit im Schatten stehen lässt. M.2-SSDs werden via dem M.2-Sockel am Mainboard installiert. Sie eignen sich aufgrund der kompakten Abmessungen besonders für den Einsatz in Ultrabooks und Mini-PCs, können aber auch in normalen Computern verwendet werden.

NVMe-Protokoll für weniger Latenzen

In Systemen mit NVMe-Unterstützung glänzt diese SSD besonders. Sie profitieren von einem hohen Durchsatz, hoher IOPS und einer geringen Latenz. Im Gegensatz zu dem älteren AHCI-Protokoll, das für herkömmliche, sich drehende Laufwerke entwickelt wurde, verhindert NVMe Leistungsabfälle, bietet eine schnellere Übertragung grosser Datenmengen, erhöhte Boot-Geschwindigkeiten und eine verbesserte System-Reaktionszeit.

3D-NAND Flashspeicher

Bei 3D-NAND (auch V-NAND oder 3D V-NAND gennant) stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche und die Flash-Speicherzeillen werden in Schichten übereinander angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen. Dank der verkürzten Verbindungen zwischen den Zellen steigt die elektrische Leistung, darüber hinaus sinkt in Folge dessen der Stromverbrauch.